Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) telah memperkenalkan perangkat embedded Memory NAND Flash e-MMC™ terbarunya yang diproduksi melalui teknologi 24 nm. Mampu mengurangi bottleneck yang sering terjadi pada NAND date rate tunggal. Memory NAND Flash e-MMC 24 nm dari Toshiba ini menggunakan mode toggle date rate ganda (DDR) untuk meningkatkan kinerja dan mempercepat random akses lebih serta kinerja sekuensial. Dengan range densitas mulai dari 2 GB sampai 128 GB, maka Memory NAND Flash e-MMC 24 nm ini merupakan modul yang mempunyai fitur geometri terkecil di dunia dengan kapasitas terbesar. Selain itu Memory NAND Flash e-MMC 24 nm mendukung standar e-MMC JEDEC 4.41.
"Pemanfaatan die toggle-mode DDR NAND pada densitas 64 GB merupakan kunci e-MMC kami untuk mendukung kenerja yang lebih tinggi, lebih kecil dan paket yang tipis sesuai keinginan pelanggan" kata Scott Beekman seorang manajer pengembangan bisnis senior TAEC. "Sebagai contoh, e-MMC 128 GB sekarang dapat didukung dalam paket lebih kecil 14x18, yang mana terdapat ruang lebih besar bagi aplikasi pendukung".
Fitur Memory NAND Flash e-MMC 24 nm :
- Kinerja lebih cepat dengan menggunakan toggle-mode DDR NAND.
- Mendukung standar JEDEC e-MMC V4.41.
- Mendukung produk dengan kapasitas 2 GB hingga 128 GB.
- Die 64 Gbit 24 nm memungkinkan produksi paket e-MMC yang lebih kecil.
- Mendukung partisi dan keamanan e-MMC V4.41.
Berikut beberapa keluarga NAND Flash e-MMC 24 nm yang akan diproduksi secara masal mulai Q3 tahun 2011.
Density
|
Package
|
Start of samples
|
Start of mass production
|
2GB
|
11.5x13.0x1.0mm
|
4Q11
|
1Q12
|
4GB
|
11.5x13.0x1.0mm
|
3Q11
|
4Q11
|
8GB
|
11.5x13.0x1.0mm
|
Now
|
3Q11
|
16GB
|
12.0x16.0x1.2mm
|
Now
|
3Q11
|
32GB
|
12.0x16.0x1.2mm
|
Now
|
3Q11
|
64GB
|
14.0x18.0x1.2mm
|
Now
|
3Q11
|
128GB
|
14.0x18.0x1.2mm
|
3Q11
|
4Q11
|
Baca juga :
- Samsung Kembangkan Modul Memory DDR4
- Hynix Mengembangkan Memory DDR4
- Memory NAND Flash 19 nm Toshiba-SanDisk
- Memory NAND Flash 20 nm IMFT
0 komentar:
Posting Komentar