ADATA Merilis DDR4 2133 Primier Series

ADATA baru saja merilis modul DDR4 2133 Premier Series yang support Processor Intel Haswell-E dan Chipset Intel 9 Series. DDR4 2133 Premier Series menggunakan desain 288 pin menjanjikan peningkatan performa dan efisiensi daya. Tegangan operasi diturunkan dari 1.5 Volt menjadi 1.2 Volt, ini berarti mampu menghemat daya hingga 20 persen. Selain itu transfer data meningkat sampai 17 GB/s.

DDR4 2133 Premier Series telah memenuhi standar JEDEC dan RoHS. Ditujukan untuk penggunaan PC Desktop, tersedia dalam dua pilihan kapasitas yaitu 4 GB dan 8 GB. ADATA memberikan garansi lifetime bagi keduanya.

Berikut Spesifikasi DDR4 2133 Premier Series produk ADATA :

• Suitable for : Desktop PC
• Module Specification : 288 Pin Unbuffered-DIMM
• Density : 4GB / 8GB
• Power Supply : VDD&VDDQ=1.2V +0.06/- 0.06V
• DRAM Activation Power Supply : VPP= 2.5V (2.375V min, 2.75 max)
• DRAM Spec/VCC : DDR4 STD 1.2V
• Operating Temperature : 0°C to +85°C
• Warranty : Limited Lifetime Warranty

IMFT Announces NAND Flash 20 nm 128 Gb MLC Device

Intel and Micron joint-development venture, IM Flash Technologies (IMFT), the new 20nm monolithic 128 Gb device is the first in the industry to enable a terabit (Tb) of data storage in a fingertip-size package by using just eight die. It also provides twice the storage capacity and performance of the companies' existing 20 nm 64 Gb NAND device. The 128 Gb device meets the high-speed ONFI 3.0 specification to achieve speeds of 333 megatransfers per second (MT/s), providing customers with a more cost-effective solid-state storage solution for today's slim, sleek product designs, including tablets, smartphones and high-capacity Solid-State Drives (SSD).

"As portable devices get smaller and sleeker, and server demands increase, our customers look to Micron for innovative new storage technologies and system solutions that meet these challenges," said Glen Hawk, vice president of Micron's NAND Solutions Group. "Our collaboration with Intel continues to deliver leading NAND technologies and expertise that are critical to building those systems."

The companies also revealed that the key to their success with 20nm process technology is due to an innovative new cell structure that enables more aggressive cell scaling than conventional architectures. Their 20 nm NAND uses a planar cell structure - the first in the industry - to overcome the inherent difficulties that accompany advanced process technology, enabling performance and reliability on par with the previous generation. The planar cell structure successfully breaks the scaling constraints of the standard NAND floating gate cell by integrating the first Hi-K/metal gate stack on NAND production.

"It is gratifying to see the continued NAND leadership from the Intel-Micron joint development with yet more firsts as our manufacturing teams deliver these high-density, low-cost, compute-quality 20nm NAND devices," said Rob Crooke, Intel vice president and general manager of Intel's Non-Volatile Memory Solutions Group. "Through the utilization of planar cell structure and Hi-K/Metal gate stack, IMFT continues to advance the technological capabilities of our NAND flash memory solutions to enable exciting new products, services and form factors."

The demand for high-capacity NAND flash devices is driven by three interconnected market trends : data storage growth, the shift to the cloud and the proliferation of portable devices. As digital content continues to grow, users expect that data to be available across a multitude of devices, all synchronized via the cloud. To effectively stream data, servers require high-performance, high-capacity storage that NAND delivers, and storage in mobile devices has consistently grown with increased access to data. High-definition video is one example of an application that requires high-capacity storage, since attempting to stream this type of data can create a poor user experience. These developments create great opportunities for high-performance, small-footprint storage, both in the mobile devices that consume the content and the storage servers that deliver it.

Intel and Micron noted that the December production ramp of their 20 nm 64 Gb NAND flash product will enable a rapid transition to the 128 Gb device in 2012. Samples of the 128 Gb device will be available in January, closely followed by mass production in the first half of 2012. Achievement of this milestone will further enable greater densities and overall fab output, while also helping the companies' development teams cultivate the expertise required to design complex storage solutions and refine future technologies.

Read more :

• Samsung Kembangkan Modul Memory DDR4
• Hynix Mengembangkan Memory DDR4
• Memory NAND Flash 19 nm Toshiba-SanDisk
• Memory NAND Flash 20 nm IMFT

Memory NAND Flash e-MMC 24 nm Terbaru dari Toshiba

Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) telah memperkenalkan perangkat embedded Memory NAND Flash e-MMC™ terbarunya yang diproduksi melalui teknologi 24 nm. Mampu mengurangi bottleneck yang sering terjadi pada NAND date rate tunggal. Memory NAND Flash e-MMC 24 nm dari Toshiba ini menggunakan mode toggle date rate ganda (DDR) untuk meningkatkan kinerja dan mempercepat random akses lebih serta kinerja sekuensial. Dengan range densitas mulai dari 2 GB sampai 128 GB, maka Memory NAND Flash e-MMC 24 nm ini merupakan modul yang mempunyai fitur geometri terkecil di dunia dengan kapasitas terbesar. Selain itu Memory NAND Flash e-MMC 24 nm  mendukung standar e-MMC JEDEC 4.41.

"Pemanfaatan die toggle-mode DDR NAND pada densitas 64 GB merupakan kunci e-MMC kami untuk mendukung kenerja yang lebih tinggi, lebih kecil dan paket yang tipis sesuai keinginan pelanggan" kata Scott Beekman seorang manajer pengembangan bisnis senior TAEC. "Sebagai contoh, e-MMC 128 GB sekarang dapat didukung dalam paket lebih kecil 14x18, yang mana terdapat ruang lebih besar bagi aplikasi pendukung".

Fitur Memory NAND Flash e-MMC 24 nm :

• Kinerja lebih cepat dengan menggunakan  toggle-mode DDR NAND.
• Mendukung standar JEDEC e-MMC V4.41.
• Mendukung produk dengan kapasitas 2 GB hingga 128 GB.
• Die 64 Gbit 24 nm memungkinkan produksi paket e-MMC yang lebih kecil.
• Mendukung partisi dan keamanan e-MMC V4.41.

Berikut beberapa keluarga NAND Flash e-MMC 24 nm yang akan diproduksi secara masal mulai Q3 tahun 2011.

Density	Package	Start of samples	Start of mass production
2GB	11.5x13.0x1.0mm	4Q11	1Q12
4GB	11.5x13.0x1.0mm	3Q11	4Q11
8GB	11.5x13.0x1.0mm	Now	3Q11
16GB	12.0x16.0x1.2mm	Now	3Q11
32GB	12.0x16.0x1.2mm	Now	3Q11
64GB	14.0x18.0x1.2mm	Now	3Q11
128GB	14.0x18.0x1.2mm	3Q11	4Q11

Baca juga :

• Samsung Kembangkan Modul Memory DDR4
• Hynix Mengembangkan Memory DDR4
• Memory NAND Flash 19 nm Toshiba-SanDisk
• Memory NAND Flash 20 nm IMFT

Memory NAND Flash 19 nm 64 Gb Buatan Tohiba dan SanDisk

Toshiba dan sanDisk telah berkolaborasi selama 11 tahun dan akhirnya mereka mampu mengembangkan memory NAND Flash melalui proses produksi 19 nm dengan kapasitas 64 Giga bit (Gb). Memory NAND Flash 19 nm ini tentu saja menjadi pesaing IMFT dengan memory NAND Flash 20 nm. Teknologi terbaru Toshiba-SanDisk telah mengaplikasikan 2 bit per sel pada 64 Giga bit dan menawarkan kepadatan tertinggi pada single chip 8 Giga Byte (GB). Toshiba-SanDisk juga akan menambah 3 bit per sel pada produk yang dibuat melalui teknologi proses 19 nm. Diharapkan chip memory NAND Flash 19 nm 64 Gb dapat diproduksi secara masal pada kuartal ketiga (Juli - September) 2011.

Penerapan teknologi 19 nm mampu mengecilkan ukuran chip, memungkinkan Toshiba untuk merakit 16 chip memory NAND Flash 64 Gb dalam satu paket dan memberikan 128 GB pada smartphone maupun tablet. Produk Toshiba-SanDisk juga dilengkapi dengan Toggle DDR 2.0 yang bisa meningkatkan kecepatan transfer data. Aplikasi memory NAND Flash 19 nm juga melebar ke bidang SSD (Solid State Drive) dan permintaan produk yang lebih kecil.

Hynix Mengembangkan DDR4 DRAM ECC-SODIMM

Hynix sebuah perusahaan Korea Selatan yang bergerak di bidang semikonduktor, pada bulan April 2011 lalu mengumumkan keberhasilan mereka dalam mengembangkan DDR4 DRAM ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module). Memory DDR4 DRAM dikembangkan oleh Hynix dengan mempergunakan teknologi proses 30 nm, mempunyai kapasitas 2 Gb (Gigabit) dan juga 2 GB (Gigabyte). Produk DDR4 DRAM didesain untuk server mikro serta sudah memenuhi standar JEDEC. Hynix merencanakan akan mulai memproduksi DDR4 DRAM secara masal pada paruh kedua tahun 2012.

DDR4 DRAM merupakan memory generasi mendatang yang mengkonsumsi daya lebih sedikit dibanding DDR3 DRAM saat melakukan transfer data. DDR4 DRAM mampu bekerja dengan kecepatan 2400 Mbps, artinya lebih cepat 80% dari DDR3 DRAM yang beroperasi pada kecepatan 1333 Mbps. DDR4 DRAM dapat beroperasi pada tegangan rendah 1.2 Volt dan memproses data 64-bit I/O hingga 19.2 GBps (Gigabytes per second). 

"DDR4 DRAM sepenuhnya mendukung berbagai fitur yang dibutuhkan termasuk ramah lingkungan, efisiensi energi, dan performa tinggi. Dengan produk ini, Hynix akan memberikan solusi premium bukan hanya untuk konsumen PC dan server kami, tetapi juga bagi pasar tablet" kata Ji-Bum Kim, seorang Chief Marketing Officer Hynix.

Dengan hadirnya modul DDR4 DRAM hasil pengembangan Hynix Semiconductor Inc, menunjukkan superioritas Korea Selatan dalam mendesain memory tercepat dunia, setelah sebelumnya Samsung juga telah berhasil mengembangkan DDR4.

Intel dan Micron Berhasil Mengembangkan Memory NAND Flash 20 nm

IMFT (Intel-Micron Flash Technology) merupakan kolaborasi antara 2 perusahaan semikonduktor Intel Corporation dan Micron Technology Inc. telah berhasil dalam mengembangkan memory NAND Flash melalui teknologi 20 nano meter (nm). Memory NAND Flash berkapasitas 8 GB MLC (Multi Level Cell) memungkinkan untuk menyimpan file musik, video serta data lainnya di Smartphone, Tablet dan solusi komputasi seperti SSD (Solid State Disk). Memory NAND Flash 20 nm 8 GB mempunyai ukuran hanya 118 mm² sehingga bisa mengurangi ruang pada board sebesar 30% - 40% dibandingkan devices saat ini NAND Flash 25 nm. Dengan demikian ruang kosong ekstra tersebut dapat digunakan oleh pembuat Smartphone dan Tablet untuk menambahkan perangkat lain, seperti baterai yang lebih besar, layar lebih lebar atau menambah chip lain guna meningkatkan fitur produknya.

Devices NAND Flash 20 nm 8 GB yang dikembangkan oleh IMFT merupakan terobosan teknologi di bidang lithografi, akan menggantikan generasi sebelumnya yaitu teknologi 25 nm. NAND Flash 20 nm 8 GB diharapkan dapat masuk produksi masal  pada semester kedua tahun 2011. Selanjutnya dalam masa yang akan datang "joint venture" Intel dan Micron berharap dapat menyingkap sampel devices 16 GB, membuatnya sampai kapasitas 128 GB dalam solusi penyimpanan solid state tunggal yang lebih kecil dari sebuah perangko USA.

Gambar di atas memperlihatkan perbandingan antara dua buah die 32 GB 34 nm dengan 64 GB 25 nm dan 20 nm. Proses penyusutan dari 25 nm menjadi 20 nm adalah metode efektif untuk meningkatkan sekitar 50% kapasitas dibandingkan dengan teknologi yang ada pada saat ini.

Samsung Berhasil Mengembangkan DDR4

Samsung telah berhasil mengembangkan modul memory baru DDR4 untuk komputer, berita ini diumumkan kepada dunia awal tahun 2011. Samsung memang terkenal sebagai pelopor pengembangan memory sejak tahun 1997, yang ketika itu merilis DDR DRAM pertama.

DDR4 buatan Samsung yang diproses dengan menggunakan teknologi 30nm (nano meter) dapat mencapai kecepatan transfer data hingga 2.133 Gbps pada tegangan 1.2 Volt. DDR4 ini pada saat dipasang pada Notebook/Laptop akan menghemat daya listrik sampai 40% dibanding dengan DDR3 di tegangan 1.5 Volt.

DDR4 diproduksi dengan menggunakan Pseudo Open Drain (POD), yaitu sebuah teknologi baru yang telah disesuaikan dengan kinerja tinggi DRAM Grafis. Hal ini memungkinkan DDR4 DRAM untuk mengkonsumsi setengah arus listrik dari kebutuhan DDR3 pada saat menulis data (write). Dengan mempergunakan arsitektur rangkaian baru, DDR4 dapat dijalankan dengan kecepatan 1.6 GHz sampai 3.2 GHz.

Akhir bulan Desember 2010 Samsung memberikan DDR4 2 GB 1.2 Volt UDIMM (Unbuffered Dual In-Line Module Memory) ke pembuat Controller untuk dilakukan pengujian. Selain itu Samsung mempunyai rencana bekerja sama dengan beberapa pembuat Server untuk membantu menyelesaikan standarisasi JEDEC bagi DDR4 pada semester kedua tahun ini.