Memory NAND Flash 19 nm 64 Gb Buatan Tohiba dan SanDisk

Toshiba dan sanDisk telah berkolaborasi selama 11 tahun dan akhirnya mereka mampu mengembangkan memory NAND Flash melalui proses produksi 19 nm dengan kapasitas 64 Giga bit (Gb). Memory NAND Flash 19 nm ini tentu saja menjadi pesaing IMFT dengan memory NAND Flash 20 nm. Teknologi terbaru Toshiba-SanDisk telah mengaplikasikan 2 bit per sel pada 64 Giga bit dan menawarkan kepadatan tertinggi pada single chip 8 Giga Byte (GB). Toshiba-SanDisk juga akan menambah 3 bit per sel pada produk yang dibuat melalui teknologi proses 19 nm. Diharapkan chip memory NAND Flash 19 nm 64 Gb dapat diproduksi secara masal pada kuartal ketiga (Juli - September) 2011.

Penerapan teknologi 19 nm mampu mengecilkan ukuran chip, memungkinkan Toshiba untuk merakit 16 chip memory NAND Flash 64 Gb dalam satu paket dan memberikan 128 GB pada smartphone maupun tablet. Produk Toshiba-SanDisk juga dilengkapi dengan Toggle DDR 2.0 yang bisa meningkatkan kecepatan transfer data. Aplikasi memory NAND Flash 19 nm juga melebar ke bidang SSD (Solid State Drive) dan permintaan produk yang lebih kecil.