Intel dan Micron Berhasil Mengembangkan Memory NAND Flash 20 nm

IMFT (Intel-Micron Flash Technology) merupakan kolaborasi antara 2 perusahaan semikonduktor Intel Corporation dan Micron Technology Inc. telah berhasil dalam mengembangkan memory NAND Flash melalui teknologi 20 nano meter (nm). Memory NAND Flash berkapasitas 8 GB MLC (Multi Level Cell) memungkinkan untuk menyimpan file musik, video serta data lainnya di Smartphone, Tablet dan solusi komputasi seperti SSD (Solid State Disk). Memory NAND Flash 20 nm 8 GB mempunyai ukuran hanya 118 mm² sehingga bisa mengurangi ruang pada board sebesar 30% - 40% dibandingkan devices saat ini NAND Flash 25 nm. Dengan demikian ruang kosong ekstra tersebut dapat digunakan oleh pembuat Smartphone dan Tablet untuk menambahkan perangkat lain, seperti baterai yang lebih besar, layar lebih lebar atau menambah chip lain guna meningkatkan fitur produknya.

Devices NAND Flash 20 nm 8 GB yang dikembangkan oleh IMFT merupakan terobosan teknologi di bidang lithografi, akan menggantikan generasi sebelumnya yaitu teknologi 25 nm. NAND Flash 20 nm 8 GB diharapkan dapat masuk produksi masal  pada semester kedua tahun 2011. Selanjutnya dalam masa yang akan datang "joint venture" Intel dan Micron berharap dapat menyingkap sampel devices 16 GB, membuatnya sampai kapasitas 128 GB dalam solusi penyimpanan solid state tunggal yang lebih kecil dari sebuah perangko USA.

Gambar di atas memperlihatkan perbandingan antara dua buah die 32 GB 34 nm dengan 64 GB 25 nm dan 20 nm. Proses penyusutan dari 25 nm menjadi 20 nm adalah metode efektif untuk meningkatkan sekitar 50% kapasitas dibandingkan dengan teknologi yang ada pada saat ini.